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Danke für die Bilder.
Begründung war, dass durch den positiven Temperaturkoeffizienten der R ds.on um Faktor 2 steigt zwischen 25 und 150 Grad.Von dieser These hab ich nie etwas von gehört, oder sie irgendwann mal gehört an der Hochschule und danach wieder vergessen.
Wobei, wovor genau sollen sich die Mosfet's denn selbst schützen wenn die Temperatur in den Drain/Source Kanälen ansteigt?
Daran kann ich mich auch noch erinnern. Ob ich das allerdings in der Uni gehört habe oder aus der Werbung von Herstellern weiß kann ich auch nicht mehr so genau sagen. Ich glaube Radio RIM hatte damals in einem ihrer Kataloge darüber geschrieben, als sie ihre DIY-MOSFET Endstufe herausgebracht haben.Begründung war, dass durch den positiven Temperaturkoeffizienten der R ds.on um Faktor 2 steigt zwischen 25 und 150 Grad.
So wurden damals vor mind 40J die Vorteile der MOSFET's angepriesen - von Verstärkerbauern. Den Artikel von damals finde ich aber nicht mehr.
Mglw. gilt das aber nur für den Schaltbetrieb in getakteter Umgebung.
Das war auch Begründung warum gegenüber bipolaren Endstufen kein Kurzschlussschutz notwendig ist. Ehrlich.
Ich hab mal ein wenig gesucht, in Datenblättern:Begründung war, dass durch den positiven Temperaturkoeffizienten der R ds.on um Faktor 2 steigt zwischen 25 und 150 Grad.
So wurden damals vor mind 40J die Vorteile der MOSFET's angepriesen - von Verstärkerbauern. Den Artikel von damals finde ich aber nicht mehr.
Mglw. gilt das aber nur für den Schaltbetrieb in getakteter Umgebung.
Das war auch Begründung warum gegenüber bipolaren Endstufen kein Kurzschlussschutz notwendig ist. Ehrlich.
Wieso?zum Glück habe ich das Foto gemacht... sonst wäre mir nicht aufgefallen, dass ich aus Versehen den Ground Lift am 600er an hatte.Nun ist der Lift wieder off und somit die Schutzerde verbunden.
